企业简介
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矽成积体电路股份有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 1610484 |  |
SI | 半导体，晶片，积体电路 | 查看详情 |
矽成积体电路股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TWI255399 | 用于降低功率消耗由TTL转换至CMOS之输入缓冲器电路 | 2006.05.21 | 本发明提供一种由TTL转换至CMOS输入缓冲器电路，其可在电源电压、半导体制程、以及温度(PVT: |
| 2 | TW520507 | 可规划可重新程式化非挥发性记忆体之控制单元与方法 | 2003.02.11 | 一种可规划可重新程式化非挥发性记忆体之控制单元与方法，可规划可重新程式化非挥发性记忆体之控制单元可耦 |
| 3 | TW200601000 | 用于降低功率消耗由TTL转换至CMOS之输入缓冲器电路 | 2006.01.01 | 本发明提供一种由TTL转换至CMOS输入缓冲器电路，其可在电源电压、半导体制程、以及温度(PVT：p |
| 4 | TW200500933 | USB装置快速烧录系统程式之系统及其方法 | 2005.01.01 | 本发明揭露一种提供USB装置快速烧录系统程式的系统及方法。利用USB引擎本身已包含一预设控制管道端点 |
| 5 | TW200601697 | 用于稳定逻辑转换点之由TTL转换至CMOS之输入缓冲器电路 | 2006.01.01 | 本发明提供一种由TTL转换至CMOS输入缓冲级电路，其可在电源电压、半导体制程、以及温度(PVT: |
| 6 | CN100352164C | 用于降低功率消耗的输入缓冲器电路 | 2007.11.28 | 本发明提供一种由TTL转换至CMOS输入缓冲器电路，其可在电源电压、半导体制程、以及温度发生变化时， |
| 7 | TWI490698 | 高速资料传输架构 | 2015.07.01 | |
| 8 | TW201443654 | 高速资料传输架构;HIGH-SPEED DATA TRANSMISSION STRUCTURE | 2014.11.16 | 本发明系揭示一种高速资料传输架构，包括第一、第二电子单元以及输入输出汇流排，其中输入输出汇流排系电气 |
| 9 | TW201426240 | 低电压能隙参考电路;LOW VOLTAGE BANDGAP REFERENCE CIRCUIT | 2014.07.01 | 本发明系有关于一种低电压能隙参考电路，系用以在低电压下操作，包括正温度系数电路单元、负温度系数电路单 |
| 10 | TWI357136 | 接触垫阵列在晶片中心之球脚阵列基板防止线塌之封装结构及方法 | 2012.01.21 | |
| 11 | CN100573860C | 接触垫位于芯片中心的球脚阵列基板的封装结构及其方法 | 2009.12.23 | 本发明为一种接触垫位于芯片中心的球脚阵列基板的封装结构及其方法，该方法是在该芯片上两排接触垫的两外侧 |
| 12 | CN101567352A | 窗形球脚阵列封装基板 | 2009.10.28 | 一种窗形球脚阵列封装基板，该基板用以提供芯片中心的具有两排接触垫的芯片的封装。基板中具有一个长方形狭 |
| 13 | CN101246868A | 接触垫位于芯片中心的球脚阵列基板的封装结构及其方法 | 2008.08.20 | 本发明为一种接触垫位于芯片中心的球脚阵列基板的封装结构及其方法，该方法是在该芯片上两排接触垫的两外侧 |
| 14 | TW200834836 | 接触垫阵列在晶片中心之球脚阵列封装基板防止线塌之封装结构及方法 | 2008.08.16 | 一种防止过长的金钉线在钉接接触垫至BGA基板的金手指后进行灌胶封装会有线塌问题之结构及方法。在第一实 |
| 15 | TWI295425 | 高速存取快闪记忆体控制器 | 2008.04.01 | 一种控制多颗快闪记忆体晶片的高速快闪记忆体控制器，至少包含：读写脉冲产生器、读写脉冲延迟链电路、取样 |
| 16 | CN100353667C | 用于稳定逻辑转换点的输入缓冲器电路 | 2007.12.05 | 本发明提供一种由TTL转换至CMOS输入缓冲级电路，其可在电源电压、半导体制程、以及温度发生变化时， |
| 17 | TW200636454 | 高速存取快闪记忆体控制器 | 2006.10.16 | 一种控制多颗快闪记忆体晶片的高速快闪记忆体控制器，至少包含：读写脉冲产生器、读写脉冲延迟链电路、取样 |
| 18 | CN1777029A | 用于稳定逻辑转换点的输入缓冲器电路 | 2006.05.24 | 本发明提供一种由TTL转换至CMOS输入缓冲级电路，其可在电源电压、半导体制程、以及温度发生变化时， |
| 19 | CN1777030A | 用于降低功率消耗的输入缓冲器电路 | 2006.05.24 | 本发明提供一种由TTL转换至CMOS输入缓冲器电路，其可在电源电压、半导体制程、以及温度发生变化时， |
| 20 | TWI253564 | 快闪记忆体资料存取管理系统及其方法 | 2006.04.21 | 本发明系有关于一种快闪记忆体资料存取管理，特别是指一种主机以逻辑区段写入快闪记忆体元件之实体记忆体时 |
| 21 | TW200601044 | 快闪记忆体资料存取管理之方法 | 2006.01.01 | 本发明系有关于一种快闪记忆体资料存取管理，特别是指一种主机以逻辑区段写入快闪记忆体元件之实体记忆体时 |
| 22 | TWI240861 | 快闪记忆体之资料存取方法及其架构 | 2005.10.01 | 一种快闪记忆体架构与存取方法，以一特有的转换方式，也就是以每个快闪记忆体之区块内的页或是区段为资料转 |
| 23 | TWI237783 | USB装置快速烧录系统程式之系统及其方法 | 2005.08.11 | 本发明揭露一种提供USB装置快速烧录系统程式的系统及方法。利用USB引擎本身已包含一预设控制管道端点 |
| 24 | TWI233260 | 用于稳定逻辑转换点之由TTL转换至CMOS之输入缓冲器电路 | 2005.05.21 | 本发明提供一种由TTL转换至CMOS输入缓冲级电路，其可在电源电压、半导体制程、以及温度(PVT：p |
| 25 | TW200504573 | USB读卡机动态图示与标签表示方法 | 2005.02.01 | 本发明揭露一种在视窗作业平台下呈现USB介面多槽读卡机之任一卡槽记忆卡状态之方法，该方法至少包含下列 |
| 26 | CN1540497A | USB装置韧体程式可更新的方法 | 2004.10.27 | 本发明的USB装置至少包含微处理器、USB ISP解译器，快闪记忆体。韧体程式更新步骤至少包含，将U |
| 27 | TW200414047 | USB读卡机动态卡槽侦测方法 | 2004.08.01 | 本发明提供一种USB介面多槽读卡机之任一卡槽记忆卡可以启动电脑主机作业系统之方法，该方法至少包含下列 |
| 28 | TWI220040 | USB读卡机动态图示与标签表示方法 | 2004.08.01 | 本发明揭露一种在视窗作业平台下呈现USB介面多槽读卡机之任一卡槽记忆卡状态之方法，该方法至少包含下列 |
| 29 | TW586075 | USB读卡机动态卡槽侦测方法 | 2004.05.01 | 本发明提供一种USB介面多槽读卡机之任一卡槽记忆卡可以启动电脑主机作业系统之方法，该方法至少包含下列 |
| 30 | TW523644 | 微控制器及可程式化记忆装置之程式码写入装置及方法 | 2003.03.11 | 一种微控制器及可程式化记忆装置之程式码写入装置及方法，此微控制器之程式码写入装置具有：输入输出单元、 |
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